How ASML Makes Chips Faster With Its New $400 Million High NA Machine
3-Second Blueprint (English)
- Four CO2 lasers vaporize 50,000 molten tin droplets per second into plasma to emit 13.5 nm extreme ultraviolet (EUV) photons.
- Because air and glass absorb EUV light, ultra-smooth Carl Zeiss multilayer mirrors guide the beam through a full vacuum chamber.
- High Numerical Aperture (High-NA) optics focus EUV patterns at steeper angles to print sub-2 nm transistor features in fewer passes.
High-NA EUV LithographyCO2 Laser Tin PlasmaZeiss Multilayer MirrorsVacuum Photolithography
3-Sekunden-Fazit (Deutsch)
- Vier CO2-Laser verdampfen 50.000 Zinntröpfchen pro Sekunde zu Plasma, um extrem ultraviolettes Licht mit 13,5 nm zu erzeugen.
- Da Luft und Glas EUV-Strahlung absorbieren, lenken ultraglatte Carl-Zeiss-Mehrschichtspiegel das Licht im Hochvakuum.
- High-NA-Optiken bündeln EUV-Muster in steileren Winkeln, um Transistorstrukturen unter 2 nm präziser auf Wafer zu belichten.
High-NA-EUV-LithografieCO2-Laser-ZinnplasmaZeiss-MehrschichtspiegelVakuum-Fotolithografie
Note / Hinweis: Blueprints are AI-generated educational summaries (0% Politics · 0% Religion · 0% Brainrot) and do not constitute medical, legal, or financial advice. / KI-generierte Zusammenfassung zu Bildungszwecken – ersetzt keine medizinische, rechtliche oder finanzielle Fachberatung.