How a MOSFET Works - with animation! | Intermediate Electronics
3-Second Blueprint (English)
- An enhancement-mode NMOS places n-doped source and drain wells in a p-type substrate beneath an insulating oxide and metal gate.
- Positive gate voltage creates an electric field across the oxide that repels holes and forms an electron inversion channel.
- Depletion-mode MOSFETs conduct at zero gate bias, and source/drain potentials must avoid forward-biasing the substrate PN junction.
MOSFET StructureOxide Gate IsolationElectric Field Inversion LayerNMOS vs. PMOSEnhancement vs. Depletion ModeSubstrate PN Junction Bias
3-Sekunden-Fazit (Deutsch)
- Ein Anreicherungs-NMOS besitzt n-dotierte Source- und Drain-Zonen im p-Substrat unter einer isolierenden Oxidschicht und Metall-Gate.
- Positive Gate-Spannung erzeugt ein elektrisches Feld, das Löcher verdrängt und einen leitfähigen Elektronen-Inversionskanal bildet.
- Verarmungs-MOSFETs leiten bereits bei 0 V, und Source/Drain müssen so vorgespannt sein, dass der Substrat-PN-Übergang sperrt.
MOSFET-AufbauGate-OxidisolationInversionsschicht (Feldeffekt)NMOS vs. PMOSAnreicherungs- vs. VerarmungstypSubstrat-PN-Übergang
Note / Hinweis: Blueprints are AI-generated educational summaries (0% Politics · 0% Religion · 0% Brainrot) and do not constitute medical, legal, or financial advice. / KI-generierte Zusammenfassung zu Bildungszwecken – ersetzt keine medizinische, rechtliche oder finanzielle Fachberatung.