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how to prevent shoot through when switching MOSFET using dead time (Arduino + half bridge)

3-Second Blueprint (English)

  1. In a half-bridge MOSFET stage, turning high-side and low-side switches on simultaneously shorts the supply rail to ground via shoot-through.
  2. Finite transistor turn-off times cause overlapping conduction during transitions unless dead-time delays separate both gate drive signals.
  3. Using an LM5109 gate driver with Arduino timer interrupts and assembly NOP delays inserts ~300 ns of dead time, verified via oscilloscope.
Half-Bridge MOSFETShoot-Through CurrentDead-Time InsertionGate Driver IC

3-Sekunden-Fazit (Deutsch)

  1. Schalten High-Side- und Low-Side-MOSFET einer Halbbrücke gleichzeitig durch, entsteht ein zerstörerischer Querstrom direkt gegen Masse.
  2. Endliche Ausschaltzeiten erzeugen kurzzeitige Überlappungen beim Umschalten, sofern keine gezielte Totzeit zwischen den Gate-Signalen liegt.
  3. Ein LM5109-Gate-Treiber mit Arduino-Timer-Interrupts und NOP-Befehlen fügt rund 300 ns Totzeit ein, was am Oszilloskop überprüfbar wird.
MOSFET-HalbbrückeQuerstrom (Shoot-Through)TotzeiteinfügungGate-Treiber-IC

Note / Hinweis: Blueprints are AI-generated educational summaries (0% Politics · 0% Religion · 0% Brainrot) and do not constitute medical, legal, or financial advice. / KI-generierte Zusammenfassung zu Bildungszwecken – ersetzt keine medizinische, rechtliche oder finanzielle Fachberatung.