NMOS vs PMOS and Enhancement vs Depletion Mode MOSFETs | Intermediate Electronics
3-Second Blueprint (English)
- Enhancement-mode MOSFETs stay off at VGS = 0, whereas doped depletion-mode channels conduct naturally until reverse bias repels carriers.
- NMOS transistors conduct via electrons drawn by positive gate voltage, while PMOS devices conduct via holes drawn by negative bias.
- Reverse gate polarity turns off depletion MOSFETs, while enhancement-mode NMOS and PMOS pairs dominate H-bridge and low-power switching.
NMOS & PMOSEnhancement ModeDepletion ModeThreshold Voltage (VTH)H-Bridge Switching
3-Sekunden-Fazit (Deutsch)
- Anreicherungs-MOSFETs sperren bei VGS = 0, während dotierte Verarmungs-MOSFETs leiten, bis Gegenspannung die Ladungsträger verdrängt.
- NMOS-Transistoren leiten über Elektronen bei positiver Gatespannung, PMOS-Typen über Löcher bei negativer Gatespannung.
- Umgekehrte Gatepolarität schaltet Verarmungstypen ab, während Anreicherungs-NMOS und -PMOS H-Brücken und Schaltstufen dominieren.
NMOS & PMOSAnreicherungsmodusVerarmungsmodusSchwellenspannung (VTH)H-Brücken-Schaltung
Note / Hinweis: Blueprints are AI-generated educational summaries (0% Politics · 0% Religion · 0% Brainrot) and do not constitute medical, legal, or financial advice. / KI-generierte Zusammenfassung zu Bildungszwecken – ersetzt keine medizinische, rechtliche oder finanzielle Fachberatung.