Everything is Better: GaN vs Silicon Power Supplies
3-Second Blueprint (English)
- GaN transistors switch faster with lower losses than silicon MOSFETs, shrinking passive magnetics and capacitors.
- Interleaving primary and secondary flyback windings lowers transition loss and leakage inductance wasted in snubbers.
- Replacing passive output diodes with active MOSFET synchronous rectification dramatically cuts conduction heat loss.
GaN SemiconductorsSMPS DesignFlyback TransformerActive Rectification
3-Sekunden-Fazit (Deutsch)
- GaN-Transistoren schalten schneller und verlustärmer als Silizium-MOSFETs, was kleinere Bauteile ermöglicht.
- Verschachtelte Primär- und Sekundärwicklungen senken Übergangsverluste sowie Streuinduktivität im Sperrwandler.
- Aktive Synchrongleichrichtung per Ausgangs-MOSFET statt Diode reduziert Leitungsverluste und Abwärme drastisch.
GaN-HalbleiterSchaltnetzteile (SMPS)SperrwandlerSynchrongleichrichtung
Note / Hinweis: Blueprints are AI-generated educational summaries (0% Politics · 0% Religion · 0% Brainrot) and do not constitute medical, legal, or financial advice. / KI-generierte Zusammenfassung zu Bildungszwecken – ersetzt keine medizinische, rechtliche oder finanzielle Fachberatung.